国内光刻技术与国外差距多大 中科院院士坦言

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在光刻方面,ASML无疑是全球最大的公司之一。它提供的光刻机已经能够完成7nm的制造工作以及更精确的工艺。目前,国产光刻机仍处于90nm制程水平,即使可以实现28nm制程,也可以通过国外光刻机来实现。那么,目前国内光刻技术与国外之间的差距是什么?

荷兰ASML光刻机

在2019年中国集成电路设计大会上,中国科学院院士刘明表示,国内光刻与国外的差距约为15至20年。刘明院士说,在整个集成电路中,光刻技术是目前我们与外国之间最大的差距。

当然,中国在EUV光源,多层膜,掩模,光刻胶和超光滑抛光技术等其他方面也取得了不错的成绩。

编者评论:在过去的两年中,国内力量的提升已经在某些领域实现。当然,在集成电路部分,特别是在生产链中,中国仍然落后。作为集成电路的重要组成部分,光刻机将成为国内未来的关键部分。

在光刻方面,ASML无疑是全球最大的公司之一。它提供的光刻机已经能够完成7nm的制造工作以及更精确的工艺。目前,国产光刻机仍处于90nm制程水平,即使可以实现28nm制程,也可以通过国外光刻机来实现。那么,目前国内光刻技术与国外之间的差距是什么?

荷兰ASML光刻机

在2019年中国集成电路设计大会上,中国科学院院士刘明表示,国内光刻与国外的差距约为15至20年。刘明院士说,在整个集成电路中,光刻技术是目前我们与外国之间最大的差距。

当然,中国在EUV光源,多层膜,掩模,光刻胶和超光滑抛光技术等其他方面也取得了不错的成绩。

编者评论:在过去的两年中,国内力量的提升已经在某些领域实现。当然,在集成电路部分,特别是在生产链中,中国仍然落后。作为集成电路的重要组成部分,光刻机将成为国内未来的关键部分。